EtronTech
引脚说明
表2. EM68B32D的引脚的详细信息
符号
CK ，
CK
TYPE
输入
描述
EM68B32DVKA
差分时钟：
CK ，
CK
由系统时钟驱动。所有的SDRAM输入
信号进行采样的CK的上升沿。无论CK和
CK
递增
内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。
内部时钟信号和设备的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低
提供预充电关机和自刷新操作（所有银行闲置）或
主动关机（行活动在任何一家银行） 。 CKE是同步的所有功能
除了用于禁止输出，这是异步的。输入缓冲器，但不包括
CK ，
CK
和CKE ，是在掉电和自刷新模式来禁用
降低待机功耗。
银行激活：
BA0和BA1定义到银行BankActivate ，读，写，
或BankPrecharge命令被应用。 BA0和BA1还确定
模式寄存器（MRS或EMRS ）模式寄存器设置命令时被加载。
地址输入：
A0 - A12是在BankActivate指令周期内采样（行
地址A0 - A12）和读/写命令（列地址A0 -A8与A10
定义自动预充电） 。
片选：
CS
使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。所有的命令都被屏蔽时，
CS
采样为高电平。
CS
提供了在与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
行地址选通：
该
RAS
信号限定在所述操作指令
与结合
CAS
和
WE
信号和被锁存在的正边缘
CK 。当
RAS
和
CS
断言"LOW"和
CAS
为有效"HIGH ， "或者
在BankActivate命令或预充电命令被选中的
WE
信号。当
WE
为有效"HIGH ， "的BankActivate命令被选中
和由BA指定的银行接通时为有效状态。当
WE
is
置"LOW ， "的预充电命令被选择和存储体指定由
BA是在预充电操作之后，切换到空闲状态。
列地址选通：
该
CAS
信号限定在所述操作指令
与结合
RAS
和
WE
信号和被锁存在的正边缘
CK 。当
RAS
举行"HIGH"和
CS
被断言"LOW ， "的列存取是
通过认定开始
CAS
"LOW."然后，读或写命令被选中
通过认定
WE
"HIGH "或LOW"."
CKE
输入
BA0 ， BA1
输入
A0-A12
输入
CS
输入
RAS
输入
CAS
输入
WE
输入
写使能：
该
WE
信号定义一起使用时的操作命令
与
RAS
和
CAS
信号和被锁存在CK的上升沿。该
WE
输入用于选择BankActivate或预充电命令和读取或
写命令。
双向数据选通：
该DQSx信号被映射到以下数据
字节： DQS0到DQ0 - DQ7 ， DQS1到DQ8 - DQ15 ， DQS2到DQ16 - DQ23和DQS3
到DQ24 - DQ31 。
数据输入掩码：
DM0 - DM3是特定字节。当DM是输入数据被屏蔽
在写周期采样为高。 DM3口罩DQ31 - DQ24 ， DM2口罩DQ23-
DQ16 ， DM1口罩DQ15 - DQ8和DM0口罩DQ7 - DQ0 。
DQS0 -DQS3
输入/
产量
DM0 - DM3
输入
钰创机密
3
1.0版
2009年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
