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EM68B32DVKA-6H 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM68B32DVKA-6H
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内容描述: 16M ×32移动DDR同步DRAM (SDRAM)的 [16M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 40 页 / 324 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
银行激活/列地址命令
EM68B32DVKA
银行激活/行地址命令,也称为激活命令,由持有发行
CAS
WE
高配
CS
RAS
低的时钟(CK)的上升沿。在DDR SDRAM有四个
独立的银行,所以两张银行选择地址( BA0 , BA1 )是必需的。活动的命令必须是
在执行任何读或写操作之前应用。从激活命令到第一个读取的延迟
或写命令必须达到或超过最低的
RAS
to
CAS
延迟时间(t
RCD
分钟)。一旦银行
已被激活,它必须被预充电之前另一激活命令可以被应用到相同的组。
穿插主动命令之间(组0到银行3 ,例如)的最小时间间隔是
银行银行延迟时间(t
RRD
分钟)。
突发读取操作
在DDR SDRAM的突发读取操作是通过发出启动
CS
RAS
LOW同时举行
RAS
WE
在高时钟( CK )的tRCD的后,从激活命令的上升沿。地址输入
( A0 〜 A8 )确定的起始地址连拍。该模式寄存器设置突发类型(顺序
或交错)和脉冲串长度(2 ,4,8或16) 。所述第一输出数据是后可用
CAS
潜伏期
从读命令,而连续的数据比特被呈现在下落与数据的上升沿
选通( DQS)的DDR SDRAM所提供,直到突发完成。
突发写操作
由具有颁发突发写入命令
CS
,
CAS
WE
LOW同时举行
RAS
高在
时钟( CK )的上升沿。地址输入确定的起始列地址。没有写
潜伏期相对于DQS所需突发写周期。所述第一数据的突发写周期必须
吨后,施加在数据选通信号的第一个上升沿启动
DQSS
从时钟时的上升沿
写命令发出。其余的数据输入必须在每个连续的下降沿提供
及数据选通的上升沿为止的脉冲串长度被完成。后的脉冲串已结束时,任何
提供到DQ管脚附加数据将被忽略。
突发中断
读取读取中断
突发读可以在突发结束前通过一个新的读命令,任何一家银行被打断。当
先前的突发中断时,从剩余的地址数据位是由从数据重写
新地址与全突发长度。从以前的读命令的数据继续显示在
直到输出
CAS
从中断读命令延迟是满意的。在这一点上的数据
从中断读取命令出现。读取读取间隔为最小的1个时钟。
读取突发停机&写中断
要中断突发读与写命令时,突发停止命令必须置为避免数据
争用的I / O总线上放置到DQ (输出驱动器),在一个高阻抗状态。为确保DQ
是三态的一个周期中的写操作开始之前,在突发停止命令必须是
写命令之前施加的至少2个时钟周期为CL = 2和至少3个时钟周期CL = 3 。
READ打断了预充电
突发读可以通过在同一行的预充电被中断。需要的最小的1个时钟周期
读预充电时间。甲预充电命令,输出禁止延迟等效于
CAS
潜伏期。
钰创机密
10
1.0版
2009年3月