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EM68B32DVKA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM68B32DVKA
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内容描述: 16M ×32移动DDR同步DRAM (SDRAM)的 [16M x 32 Mobile DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 40 页 / 324 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
自动刷新
EM68B32DVKA
由具有发出自动刷新命令
CS
,
RAS
CAS
与CKE保持低电平,
WE
在高
的时钟(CK)的上升沿。所有银行都必须预充电和闲置的汽车前,色氨酸(分钟)
刷新命令应用。刷新寻址由内部刷新地址计数器生成的。
这使得地址位
不在乎
在一个自动刷新命令。时的刷新周期是
完成后,所有银行将在空闲状态。自动刷新命令,并在接下来的活动之间的延迟
命令或随后的自动刷新命令必须大于或等于所述吨
RFC
(最小值) 。
自刷新
自刷新命令由具有限定
CS
,
RAS
,
CAS
和CKE低配
WE
高在上升
时钟( CK )的边缘。一旦自刷新命令已启动, CKE必须保持低电平以保持
该装置在自刷新模式。在自刷新操作,除CKE所有的输入将被忽略。该
时钟是自刷新操作期间,内部禁用,以降低功耗。要退出自
刷新模式, CKE返回前高提供稳定的时钟输入端,主张取消或NOP指令,
然后断言CKE高。
掉电模式
该器件进入掉电模式时, CKE被拉低,并且在退出时返回CKE高。一旦
在掉电模式下启动,所有除CK和CKE接收器电路的门被关闭以减少
功耗。所有银行都必须处于空闲状态进入预充电掉电模式之前,
和CKE应至少设置高t
XP
前一个活动的命令。在掉电模式下,刷新
操作不能被执行;因此,该装置必须保持在掉电模式的时间更短
比刷新期间(t
REF
)该装置。
深度掉电
深度掉电消除了整个内存的功率达到最大功率降低
阵列和周边电路。数据不会在存储器存储阵列中被保留,模式寄存器,
或扩展模式寄存器一旦设备进入深度节能模式。
这种模式是由具有所有银行闲置随后进入
CS
WE
与保持低
RAS
CAS
高举在
在时钟的上升沿,而CKE是低电平。这种模式是由断言CKE高,只有退出申请
对于200微秒的NOP指令,然后执行步骤4继续通过11的上电的和
初始化序列..
钰创机密
12
1.0版
2009年3月