EtronTech
扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
EM68932DVKB
在扩展模式寄存器的设计支持部分阵列自刷新和驱动强度。该
EMRS周期不是强制性的，并且EMRS命令需要被发出仅当任PASR或DS
被使用。在扩展模式寄存器写的是认定的低
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
和BA0和
高上BA1 （设备应该有所有银行闲置，没有突发的进展之前写入的
扩展模式寄存器，和CKE要高） 。存储在寄存器中的值将被保留，直到
寄存器重新编程，单片机进入深度节能模式，或者电源从删除
装置。的地址引线A0〜 A11和BA0 ， BA1 ，在相同周期的状态下
CS
,
RAS
,
CAS
和
WE
被断言低写入到扩展模式寄存器。两个时钟周期，叔
MRD
，需要
来完成，在扩展模式寄存器的写操作。 A0〜 A2的用于部分阵列自
刷新和A5 〜 A6用于驱动力量。自动温度补偿自刷新
功能是包含在一个温度传感器嵌入到该设备。 A3 〜 A4不再来
控制此功能;在EMRS适用于A3 〜 A4的任何输入将被忽略。所有其他地址引脚，
A7 〜 A11和BA0必须设置为低正确EMRS操作。参阅表下面的具体
码。如果用户不写值的扩展模式寄存器， DS默认为全强度;和
PASR默认为全阵列。
表6.扩展模式寄存器的位图
BA1 BA0 A11 A10 A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
1
0
0
0
0
DS
0
0
PASR
扩展模式寄存器
A6
0
0
1
1
A5
0
1
0
1
驱动强度
充满力量
1/2强
1/4强
1/8强
A2 A1 A0部分阵列自刷新覆盖
0 0 0
全阵列（所有银行）
0 0 1
全阵列的一半（ BA1 = 0 ）
0 1 0季度全排列（ BA1 = BA0 = 0 ）
0 1 1
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1 0 0
版权所有
1 0 1
版权所有
1 1 0
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1 1 1
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钰创机密
9
1.0版
2009年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
