EtronTech
球说明
表3球说明
符号
CK ， CK ＃
TYPE
输入
描述
EM68916CWQA
差分时钟：
CK，CK ＃ ，由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样CK和CK ＃下降沿上升沿的交叉。输出（读）
数据被引用到的CK和CK ＃的交叉（交叉的两个方向） 。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE变
低同步时钟，内部时钟从下一个时钟周期暂停
和输出和猝发地址的状态，只要将所述CKE保持低冻结。
当所有银行都处于空闲状态，停用时钟控制进入电源
下来，自刷新模式。
银行地址：
BA0和BA1定义到银行BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。
地址输入：
A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样（行地址
A0 - A11）和读/写命令（列地址A0- A8与A10自定义
预充电） .A12仅用于寄存器编程。
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高）的命令
解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS ＃为
在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是部分
命令代码。
行地址选通：
在RAS ＃信号定义结合的操作命令
与CAS ＃和WE ＃信号，并锁定在CK的上升沿的交叉和
的CK ＃下降沿。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言
"HIGH ， "要么BankActivate命令或预充电命令被选中的
WE＃信号。当WE＃为有效"HIGH ， "的BankActivate命令被选中
和由BA指定的银行接通时为有效状态。当WE＃为有效
"LOW ， "的预充电命令被选中，由BA指定的银行切换到
在预充电操作之后的空闲状态。
列地址选通：
在CAS ＃信号定义的操作命令
与RAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正面交叉
CK和CK的＃下降沿的边缘。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言
"LOW ， "列的访问是通过断言CAS ＃ "LOW."开始之后，读或写
命令由WE＃置为“HIGH "或” LOW" 。
写使能：
WE＃信号定义一起使用时的动作指令与
RAS ＃和CAS ＃信号，并锁定在CK的上升沿的交叉和
的CK ＃下降沿。在WE ＃输入被用来选择BankActivate或预充电
命令和读或写命令。
双向数据选通：
指定计时的输入和输出数据。读数据选通
是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据和DQM 。
LDQS是DQ0 〜 7 ， UDQS是DQ8 〜 15 。数据选通LDO和UDQS可能
在单端模式下使用，或搭配LDQS ＃和UDQS ＃提供差分对
在读取和writes.A控制位在EMR （1）[ A 10 ]使信号发送给系统
或禁用所有补充数据选通信号。
数据输入掩码：
当DM是在写周期采样到高电平的输入数据被屏蔽。
LDM口罩DQ0 - DQ7 ， UDM口罩DQ8 - DQ15 。
数据I / O ：
的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正边缘同步
的CK和CK ＃ 。在I / O是字节屏蔽期间，写操作。
片上终端：
ODT使内部终端电阻。它被应用于每个
DQ ， LDQS / LDQS ＃ ， UDQS / UDQS ＃ ，LDM和UDM信号。如果该ODT引脚被忽略
EMR （1 ）被编程为禁用的ODT 。
CKE
输入
BA0 ， BA1
A0-A12
输入
输入
CS ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
LDQS ，
LDQS ＃
UDQS
UDQS ＃
LDM ，
UDM
DQ0 - DQ15
ODT
输入/
产量
输入
输入/
产量
输入
钰创机密
5
修订版1.1
2009年4月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
