EtronTech
引脚说明
符号类型说明
CLK
4M ×32 HH LPSDRAM
EM66932A
4Mx32 HH LPSDRAM表1.引脚详细
输入
时钟：
CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样的
CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器，并控制
输出寄存器。
输入
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。如果CKE变
时钟（设置和保持时间像其他输入） ，内部时钟同步较低
从下一个时钟周期和输出的状态，暂停和脉冲串地址被冻结
只要所述CKE保持低电平。当所有银行都处于空闲状态，停用时钟
控制进入掉电和自刷新模式。 CKE是同步的，除了
进入掉电和自刷新模式的设备后，在CKE变
异步直到退出同一模式。输入缓冲器，包括CLK ，被禁用
在掉电和自刷新模式，提供低待机功耗。
输入
银行选择：
BA0和BA1定义了该银行的BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。该行地址BA0和BA1用于
在锁定模式寄存器设置。
CKE
BA0,
BA1
A0 -A11输入
地址输入：
A0 - A11是在BankActivate命令（行地址周期内采样A0〜
A11）和读/写命令（列地址A0- A7与A10定义自动预充电）
选择一个地点出了1M在各银行提供的。在一个预充电
命令，A10进行采样，以确定是否所有银行都被预充电（A10 =高） 。
地址输入时也一个模式寄存器设置或特殊模式提供了操作码
寄存器设置命令。
CS ＃
输入
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高）的命令
解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS＃为外部
在与多家银行系统，银行的选择。它被认为是命令代码的一部分。
输入
行地址选通：
在RAS ＃信号定义结合的操作命令
与CAS ＃和WE ＃信号被锁定在CLK的上升沿。当RAS ＃
和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言"HIGH ， "要么BankActivate
命令或预充电命令被选中的WE ＃信号。当WE＃为
断言"HIGH ， "的BankActivate命令被选中，由BS指定的银行
接通到活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的预充电命令
选择和由BS指定的银行预充电之后被切换到空闲状态
操作。
输入
列地址选通：
在CAS ＃信号
与RAS ＃一起和WE ＃信号
当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言
断言CAS ＃ "LOW."然后，读或写
"LOW"或"HIGH."
限定在操作命令
被锁在CLK的上升沿。
"LOW ， "列的访问是通过启动
命令由断言WE＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
输入
写使能：
WE＃信号定义一起使用时的动作指令与
RAS ＃和CAS ＃信号，并锁定在CLK的上升沿。在WE ＃输入
用于选择BankActivate或预充电命令和读或写命令。
DQM0 - 输入
数据输入/输出面膜：数据输入掩码：
DM0 - DM3是特定字节。输入数据是
DQM3
在写周期蒙面当DM采样为高电平。 DM3口罩DQ31 - DQ24 ， DM2
口罩DQ23 - DQ16 ， DM1口罩DQ15 - DQ8和DM0口罩DQ7 - DQ0 。
DQ0-输入/
数据I / O ：
该DQ0-31的输入和输出数据与的正边缘同步
DQ31输出CLK 。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
NC
V
DDQ
-
无连接：
这些引脚悬空。
供应
DQ功率：
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
初步
3
修订版0.1
2003年6月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
