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EM669325BG-8G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM669325BG-8G
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内容描述: 4M ×32低功耗SDRAM ( LPSDRAM ) [4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 51 页 / 598 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
9
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
无操作命令
( RAS # = "H" , CAS# = "H" , WE# = "H" )
在无操作命令用于执行一个NOP指令,以被选择的SDRAM( CS#
是低) 。这可以防止不必要的命令,从在空闲或等待状态被注册。
10
突发停止命令
( RAS # = "H" , CAS# = "H" , WE# = "L" )
突发停止命令用来终止是固定长度或整版阵阵。这
命令是唯一有效的,而不自动预充电功能的读/写脉冲串。终止
的延迟等于在CAS #延迟(参照下图)后读突发结束。该
终止写脉冲串示于下图。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
读了
命令
NOP
NOP
NOP
突发停止
NOP
NOP
NOP
NOP
延迟等于CAS #延迟后突发结束。
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
CAS#延迟= 3
tCK3 , DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
终止的突发读操作(突发长度
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
命令
NOP
写一个
NOP
NOP
突发停止
NOP
CAS #延迟= 2 , 3
DQ 'S
DIN A0
DIN A1
DIN A2
不关心
输入数据的写入被屏蔽。
终止突发写入操作(突发长度= X , CAS#延迟= 1 , 2 , 3 )
初步
13
4 , CAS#延迟= 2 , 3 )
T6
T7
T8
NOP
NOP
NOP
修订版0.6
2003年9月