ETR onTech
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容( CK引脚)
DQ , DQS , DM电容
4Mx16 DDR SDRAM
EM658160
单位
pF
pF
pF
电容( V
DD
= 3.3V , F = 1MHz时, TA = 25
°C)
分钟。
2.5
2.5
4
马克斯。
5
4
6.5
输入电容(除CK引脚)
注:这些参数是周期性采样,不100 %测试。
建议的直流工作条件(V
DD
= 3.3V
±
0.3 ,TA = 0 〜 70
°C)
马克斯。
参数
工作电流
(一银行活动)
工作电流
(一银行活动)
预充加电
向下待机电流
IDEL待机电流
主动掉电
待机电流
主动待机
当前
工作电流
(READ )
工作电流
(写)
自动刷新当前
符号
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2N
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
t
RC
=分钟,T
CK
=分钟
主动预充电
突发= 2 ,T
RC
=分钟, CL = 3
I
OUT
= 0毫安,有源读预充电
CKE
≤
V
IL
(最大值),叔
CK
=分钟,
所有银行闲置
CKE
≥
V
IH
(分钟) , CS #
≥
V
IH
( MIN)
t
CK
=分钟
所有银行ACT , CKE
≤
V
IL
(最大) ,
t
CK
=分钟
一家银行;主动预充电,
t
RC
= t
RAS (
最大值),叔
CK
=分钟
爆= 2, CL = 3 ,叔
CK
=分钟,
I
OUT
= 0毫安
爆= 2, CL = 3 ,叔
CK
=分钟
t
RC (
分)
- 3.3/3.5/4/5/6/7/8
单位
250/240/230/220/190/180/160
320/300/260/250/220/210/200
80/80/80/65/65/60/55
170/160/150/130/110/100/90
80/80/80/65/65/60/55
180/170/160/155/145/140/135
330/310/270/250/220/200/180
330/310/270/250/220/200/180
190/180/170/155/145/140/135
mA
自刷新电流
I
DD6
CKE
≤
0.2v
2
钰创机密
9
修订版1.1
2002年1月