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EM63A165TS-7G 参数 Datasheet PDF下载

EM63A165TS-7G图片预览
型号: EM63A165TS-7G
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内容描述: 16Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [16Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 73 页 / 1390 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
引脚说明
表1. EM63A165的引脚的详细信息
符号
CLK
TYPE
输入
描述
EM63A165
时钟:
CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样
在CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器和
控制输出寄存器。
时钟使能:
CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。如果
CKE变低同步于时钟(设置和保持时间相同,其他
输入) ,内部时钟从下一个时钟周期暂停的状态
输出和脉冲串地址,只要所述CKE保持低电平被冻结。当所有
银行在闲置状态下,去激活所述时钟控制输入到功率
下来,自刷新模式。 CKE是同步的,除了设备后,
进入掉电和自刷新模式,在CKE变
异步直到退出同一模式。输入缓存器,其中包括CLK,是
在掉电和自刷新模式禁用,提供低待机
力。
银行选择:
BA0 , BA1输入选择操作的银行。
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
选择银行
银行#A
银行#B
银行#C
银行#D
CKE
输入
BA0,BA1
输入
A0-A12
输入
地址输入:
A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样(行
地址A0 - A11)和读/写命令(列地址A0 -A8与A10
定义自动预充电),选择一个位置了4M的可用
各银行。在一个预充电命令,A10进行采样,以确定是否
所有银行都必须预充电( A10 =高) 。地址输入还提供了
一个模式寄存器设置命令在操作码。
片选:
CS #使(采样为低电平)和禁用(采样为高电平)的
命令解码器。当CS #被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS #
提供了在与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
行地址选通:
在RAS #信号定义的操作命令
与CAS #一起和WE #信号,并锁定在正边缘
的CLK 。当RAS #和CS #断言"LOW"和CAS #是断言
"HIGH , "要么BankActivate命令或预充电命令
由WE#信号的选择。当WE#为有效"HIGH , "的BankActivate
命令被选中,由BS指定的银行接通到活动
状态。当WE#为有效"LOW , "的预充电命令被选中
和由BS指定的银行被预充电之后切换到空闲状态
操作。
列地址选通:
在CAS #信号定义的操作命令
与RAS #结合和WE#信号,并锁存于正沿
的CLK 。当RAS #保持"HIGH"和CS #是断言"LOW , "列
访问是由断言CAS # "LOW."开始之后,读或写命令
选择WE#置"LOW"或"HIGH."
CS #
输入
RAS #
输入
CAS #
输入
3
启2007年4月1.1