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EM63A165TS-7G 参数 Datasheet PDF下载

EM63A165TS-7G图片预览
型号: EM63A165TS-7G
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内容描述: 16Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [16Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 73 页 / 1390 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
全页长: 512
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
1
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
整页
EM63A165
突发长度字段( A2 〜 A0 )
此字段指定的使用A2 〜 A0引脚列存取的数据长度,并且选择连拍
长度为2 ,4,8 ,或整页。
突发类型字段( A3 )
突发类型可以是两种模式,交织模式或连续模式。
A3
0
1
突发类型
顺序
交错
---寻址的连续序列模式
内部列地址由来自列地址是增加的地址进行
输入到设备中。内部列地址由突发长度而变化,如图中的
下面的表格。当列地址的值,第(n +米) ,在表中低于255 ,只有大
至少显著8位是有效的。
数据N
列地址
0
n
1
n+1
2
n+2
3
n+3
4
n+4
5
n+5
6
n+6
7
n+7
-
-
255
n+255
256
n
257
n+1
-
-
2个字:
突发长度
4个字:
8个字:
全页:列地址被重复,直到终止。
---的交错模式寻址过程
列访问开始于输入列地址和被反相的地址位进行
在下面的表中所示的序列。
数据N
数据0 A8
A0
数据1 A8
A0#
数据2 A8
A0
数据3 A8
A0#
数据4 A8
A0
A7
A7
A7
A7
A7
A6
A6
A6
A6
A6
列地址
A5
A5
A5
A5
A5
A4
A4
A4
A4
A4
A3
A3
A3
A3
A3
A2
A2
A2
A2
A2#
A1
A1
A1#
A1#
A1
8个字
4个字
突发长度
13
启2007年4月1.1