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EM639165TS-75L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM639165TS-75L
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内容描述: 8Mega X 16位SDRAM [8Mega x 16bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 48 页 / 655 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EM639165
引脚功能
CLK
输入
主时钟:
所有其它输入都参考CLK的上升沿
时钟使能:
CKE控制内部clock.When CKE为低,内部时钟
下面的循环停止。 CKE也可以用来选择
自动/自刷新。
之后,开始自刷新模式中, CKE变成异步输入。
只要CKE低自刷新保持。
片选:
当/ CS为高电平时,任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合, / CAS , /我们定义了基本的命令。
A0-11与BA0,1一起指定行/列地址。
该行地址是通过A0-11指定。
列地址指定byA0-8 。
A10也被用于指示预充电选项。当A10是在高一
读/写命令时,自动预充电被执行。当A10是
在高预充电命令,所有银行都预充电。
银行地址:
BA0,1指定该命令适用四家银行之一。
BA0,1必须ACT , PRE ,读来设置,写入命令。
CKE
输入
/ CS
/ RAS , / CAS , / WE
输入
输入
A0-11
输入
BA0,1
输入
DQ0-15
输入/输出
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止:
当DQM ( U / L)是高突发写入,DIN当前周期
蒙面。当DQM ( U / L)是高突发读取,
Dout的下一个,但一个周期禁用。
电源,用于在存储器阵列和外围电路。
DQMU / L
输入
VDD,VSS
VDDQ , VSSQ
电源
电源
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
初步
3
1.0版
2001年2月