EtronTech
引脚说明
2Mega ×32 SDRAM
EM638325
表1. EM638325的引脚的详细信息
符号类型说明
CLK
输入
时钟：
CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样的
CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器，并控制
输出寄存器。
输入
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。如果CKE变
时钟（设置和保持时间像其他输入） ，内部时钟同步较低
从下一个时钟周期和输出的状态，暂停和脉冲串地址被冻结
只要所述CKE保持低电平。当所有银行都处于空闲状态，停用时钟
控制进入掉电和自刷新模式。 CKE是同步的，除了
进入掉电和自刷新模式的设备后，在CKE变
异步直到退出同一模式。输入缓冲器，包括CLK ，被禁用
在掉电和自刷新模式，提供低待机功耗。
输入
银行选择：
BS0与BS1确定哪个银行BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。 BS还用来编程的第11位
模式和特殊模式寄存器。
CKE
BS0,
BS1
A0- A10输入
地址输入：
A0 - A10是在BankActivate命令（行地址周期内采样A0〜
A10）和读/写命令（列地址A0- A7与A10定义自动预充电）
选择一个位置，在相应的银行提供了256K的。在一个预充电
命令，A10进行采样，以确定是否所有银行都被预充电（A10 =高） 。
地址输入时也一个模式寄存器设置或特殊模式提供了操作码
寄存器设置命令。
CS ＃
输入
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高）的命令
解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS＃为外部
在与多家银行系统，银行的选择。它被认为是命令代码的一部分。
输入
行地址选通：
在RAS ＃信号定义结合的操作命令
与CAS ＃和WE ＃信号被锁定在CLK的上升沿。当RAS ＃
和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言"HIGH ， "要么BankActivate
命令或预充电命令被选中的WE ＃信号。当WE＃为
断言"HIGH ， "的BankActivate命令被选中，由BS指定的银行
接通到活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的预充电命令
选择和由BS指定的银行预充电之后被切换到空闲状态
操作。
输入
列地址选通：
在CAS ＃信号
与RAS ＃一起和WE ＃信号
当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言
断言CAS ＃ "LOW."然后，读或写
"LOW"或"HIGH."
限定在操作命令
被锁在CLK的上升沿。
"LOW ， "列的访问是通过启动
命令由断言WE＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
输入
写使能：
WE＃信号定义一起使用时的动作指令与
RAS ＃和CAS ＃信号，并锁定在CLK的上升沿。在WE ＃输入
用于选择BankActivate或预充电命令和读或写命令。
DQM0 - 输入
数据输入/输出面膜：
DQM0 - DQM3是特定字节，非持久的I / O缓冲区的控制。
DQM3
在I / O缓冲区被放置在一个高阻抗状态，当DQM采样为高电平。输入数据是
蒙面当DQM是在写周期采样为高。输出数据被屏蔽（双
时钟延迟）时， DQM是在一个读周期采样为高。 DQM3口罩DQ31-
DQ24 ， DQM2口罩DQ23 - DQ16 ， DQM1口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。
DQ0-输入/
数据I / O ：
该DQ0-31的输入和输出数据与的正边缘同步
DQ31输出CLK 。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
初步
3
1.4版
2005年10月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
