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EM638165TS-8 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM638165TS-8
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内容描述: 4Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [4Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 71 页 / 1058 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
6
EM638165
写命令
( RAS # = "H" , CAS# = "L" , WE# = "L" ,BAS =银行, A10 = "L" , A0 - A7 =列地址)
写命令用于从活动写了一阵连续的时钟周期数据
排在一个活跃的银行。银行必须至少激活吨
RCD
(分钟)的写命令前,
发行。在写连发,第一个有效数据的元素将被注册暗合了写
命令。随后的数据元素将在每个连续的时钟上升沿注册
(参见下图) 。 DQS的保持高阻抗突发除非结束
另一个命令被启动。突发长度和突发序列是由模式决定
寄存器,它已经设定。一个全页突发将持续到结束(在年底
该页面就会换到第0列,并继续) 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
没有自动预充电功能的写突发可以通过后续的写入被中断,
BankPrecharge / PrechargeAll ,或突发长度结束前读命令。中断
从写命令来可以按照以前的写命令出现在任何时钟周期
(参见下图) 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
NOP
写一个
写B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DQ 'S
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
写是写中断
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
读命令的中断写突发不带自动预充电功能应该是
后,其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿发出一个周期。为了
避免数据争用,输入数据必须从之前的DQ中的至少一个时钟周期的除去
先读出的数据显示在输出(参见下图) 。一旦读命令是
注册时,数据输入将被忽略,并且写操作不被执行。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
CAS#延迟= 3
tCK3 , DQ的
DIN A0
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端,以避免
数据争用。
写了一个读取中断
(突发长度= 4 , CAS#延迟= 2 , 3 )
初步
9
修订版0.6
2001年2月