EtronTech
DSF
BankActivate
命令
D
CK
Q
1Mega ×32 SGRAM
DQM0
EM637327
DRAM
CELL
DQ7
MR7
DQ6
MR6
DQ5
MR5
DQ4
MR4
DQ3
MR3
DQ2
MR2
DQ1
MR1
DQ0
MR0
0 =屏蔽
1 =不屏蔽
注意:
只显示低位字节。该操作是相同的其他字节。
写每比特( I / O掩码)框图
没有自动预充电功能的写突发可以通过后续的中断
写/块写, BankPrecharge / PrechargeAll ,或突发结束前阅读命令
长度。中断的写/块写命令来可以发生在任何时钟周期
继前写命令(参见下图) 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
NOP
写一个
写B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DQ 'S
DIN A0
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
写是写中断
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
读命令的中断写突发不带自动预充电功能应该是
后,其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿发出一个周期。为了
避免数据争用,输入数据必须从之前的DQ中的至少一个时钟周期的除去
初步
10
1999年8月