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EM636327TQ-55 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM636327TQ-55
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内容描述: 512K ×32高速同步图形DRAM ( SGRAM ) [512K x 32 High Speed Synchronous Graphics DRAM(SGRAM)]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 78 页 / 1387 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
引脚说明
表1示出的细节,针数,符号,类型和描述。
表1. EM636327的引脚的详细信息
引脚号符号类型说明
55
CLK
EM636327
输入
时钟:
CLK是系统时钟驱动。所有SGRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
输入
时钟使能:
CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。
如果CKE变低同步于时钟(设置和保持时间相同,其他
输入) ,内部时钟从下一个时钟周期和暂停
输出和突发地址的状态,只要CKE保持低被冻结。
当两个银行是在闲置状态下,去激活所述时钟控制
进入掉电和自刷新模式。 CKE是同步的
除了设备后进入掉电和自刷新模式,在那里
CKE变成异步直到退出同一模式。输入缓冲器,
包括CLK ,被禁止在关机和自刷新模式,
提供低待机功耗。
输入
银行选择:
BS定义到银行BankActivate ,读,写,或
BankPrecharge命令被应用。 BS还用来编程
模式和特殊模式寄存器的第10位。
输入
地址输入:
A0 -A9是在BankActivate指令周期内采样(行
地址A0 -A9 )和读/写命令(列地址A0 -A7与A9
定义自动预充电) ,以选择一个位置了256K的可用
各银行。在一个预充电命令,A9进行采样,以
确定两岸要预充电( A9 =高) 。地址
还投入期间,模式寄存器设置或特殊模式提供了操作码
寄存器设置命令。
输入
片选:
CS #使(采样为低电平)和禁用(采样为高电平)的
命令解码器。当CS #被采样到高的所有命令被屏蔽。
CS #为与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
输入
行地址选通:
在RAS #信号定义的操作命令
与CAS #一起和WE #信号,并锁定在正
CLK的边缘。当RAS #和CS #断言"LOW"和CAS #是
置"HIGH , "任BankActivate命令或预充电
命令由WE#信号。当WE#为有效"HIGH , "
在BankActivate命令被选中,由BS指定的银行
接通到活动状态。当WE#为有效"LOW , "的
预充电命令被选中,由BS指定的银行切换
于预充电操作之后的空闲状态。
输入
列地址选通:
在CAS #信号定义操作命令
在与RAS #结合和WE#信号,并锁存于正
CLK的边缘。当RAS #保持"HIGH"和CS #是断言"LOW , "的
列的访问是通过断言CAS # "LOW."开始之后,读或写
命令由WE#置"LOW"或"HIGH."
输入
写使能:
WE#信号限定在所述操作指令
与RAS #和CAS #信号,并一起被锁在正
CLK的边缘。在WE #输入被用来选择BankActivate或
预充电命令和读或写命令。
54
CKE
29
BS
31-34,
47-50,
30, 51
A0-A9
28
CS #
27
RAS #
26
CAS #
25
WE#
初步
3
十二月
1998