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    EM636327TQ-55 参数 Datasheet PDF下载

    EM636327TQ-55图片预览
    型号： EM636327TQ-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×32高速同步图形DRAM （ SGRAM ） [512K x 32 High Speed Synchronous Graphics DRAM(SGRAM)]
    分类和应用： 内存集成电路动态存储器时钟
    文件页数/大小： 78 页 / 1387 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EM636327TQ-55的Datasheet PDF文件第16页  
    EtronTech
    EM636327
    与块写命令注册重合是用来掩盖特定的列/字节
    块内组合。的DQ输入列/字节组合的映射
    在下面的表中所示。
    整体块写掩码由的DQM输入的组合，屏蔽寄存器，
    和列/字节掩码信息，在下面的图中，如图所示。在DQM和面膜
    寄存器掩蔽正常工作作为一个写命令，不同之处在于荫罩
    信息被同时施加到所有8列。因此，在一个块写，一个给定的位
    写得仅当"0"被注册为对应的DQM输入，一个"1"被登记为
    相应的DQ信号，并在屏蔽寄存器的相应位为"1" 。
    柱座
    （由A3 - A7选择注册
    暗合了块写命令）
    排在银行
    （由A0 - A9选择，
    和BS注册
    暗合了BankActivate
    命令）
    列面膜DQ0
    在DQ DQ1
    输入DQ2
    DQ3
    （注册
    DQ4
    一致
    DQ5
    带座DQ6
    写命令DQ7
    DSF
    BankActivate
    命令
    ð Q
    CK
    DQM0
    MR0
    MR 1
    屏蔽寄存器
    （以前装
    从相应的
    DQ输入）
    MR2
    MR3
    MR4
    MR5
    MR6
    MR7
    CR0
    CR 1
    CR2
    CR3
    CR4
    CR5
    CR6
    CR7
    注意：
    只显示低位字节。该操作是相同的其他字节。
    块写屏蔽框图
    初步
    12
    十二月
    1998

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