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EM636327TQ-10 参数 Datasheet PDF下载

EM636327TQ-10图片预览
型号: EM636327TQ-10
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内容描述: 512K ×32高速同步图形DRAM ( SGRAM ) [512K x 32 High Speed Synchronous Graphics DRAM(SGRAM)]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 78 页 / 1387 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
DQ
输入
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
列地址DQ飞机
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
控制
0~7
0~7
0~7
0~7
0~7
0~7
0~7
0~7
8~15
8~15
8~15
8~15
8~15
8~15
8~15
8~15
DQ
输入
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
EM636327
列地址DQ飞机
控制
16~23
16~23
16~23
16~23
16~23
16~23
16~23
16~23
24~31
24~31
24~31
24~31
24~31
24~31
24~31
24~31
块的写访问需要T的时间段
BWC
来执行,所以在一般情况下,应该有
m
NOP周期(M等于(T
BWC
- t
CK
)/t
CK
向上舍入到下一个整数) ,之后的块写
命令。然而, BankActivate或BankPrecharge命令其他银行是允许的。
当下面有BankPrecharge或PrechargeAll命令块写入到同一个银行,
t
BPL
必须得到满足。
9
写和AutoPrecharge命令(参见下图)
( RAS # = "H" , CAS# = "L" , WE# = "L" , DSF = "L" , BS =银行, A9 = "H" , A0 - A7 =列地址)
写入和AutoPrecharge命令后,自动进行预充电操作
写操作。一旦指令下达后,任何后续命令可以在一个不会出现
的{ (突发长度-1 ) + T延时
WR
+ t
RP
(分) } 。在整页突发,只写操作是
在这个命令执行和自动预充电功能被忽略。
T0
CLK
银行
激活
写一个
Autoprecharge
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM命令
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
DAL
CAS #延迟= 1
TCK1 , DQ的
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
CAS#延迟= 3
tCK3 , DQ的
DIN A0
DIN A1
DIN A0
DIN A1
*
*
*
*
t
DAL
t
DAL
DIN A0
DIN A1
t
DAL
=
t
WR
+
t
RP
开始Autoprecharge
银行可在完成重新激活
t
DAL
突发写带自动预充电
(突发长度= 2 , CAS#延迟= 1 , 2 , 3 )
初步
13
十二月
1998