EtronTech
1M ×16 SDRAM
EM636165
所读取的数据出现在的DQ受值的LDQM / UDQM输入2个时钟
早期（即LDQM / UDQM延迟两个时钟输出缓冲）。爆不自动读
预充电功能，可以通过后续的读或中断写命令在同一银行
或突发长度结束前的其他活动的银行。它可以通过一个中断
BankPrecharge / PrechargeAll命令相同的银行了。中断从读来
命令可以发生在任何时钟周期以前的读命令（参见下面的
图）。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
命令
读了
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
阅读打断读
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
该LDQM / UDQM投入使用，以避免对DQ引脚I / O争用时中断
来自一个写命令。之前的LDQM / UDQM必须置（高）至少两个时钟
在写命令镇压数据输出到DQ引脚。为了保证DQ引脚对I / O
争，与DQ管脚的高阻抗的单周期必须在最后一次读取之间发生
数据和写命令（参考下面的三个数字） 。如果该脉冲串的数据输出读
发生在脉冲串写入的第二时钟，所述LDQM / UDQM必须至少有效（高电平）
先于写命令的一个时钟，以避免内部总线争用。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ 'S
DOUT A0
必须是高阻前
写命令
DINB0
DINB1
DINB2
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
4 ， CAS＃延迟= 3 ）
初步
7
修订版1.8
2001年11月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
