EtronTech
6
1M ×16 SDRAM
EM636165
写和AutoPrecharge命令（参见下图）
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， A11 =
“V”,
A10 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
写入和AutoPrecharge命令后，自动进行预充电操作
写操作。一旦指令下达后，任何后续命令可以在一个不会出现
的{ （突发长度-1 ） + T延时
WR
+ t
RP
（分） } 。在整页突发，只写操作是
在这个命令执行和自动预充电功能被忽略。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
银行
激活
写一个
Autoprecharge
COM命令
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
DAL
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DIN A0
DIN A1
*
t
DAL
DIN A0
DIN A1
*
t
DAL
DIN A0
DIN A1
t
DAL
=
t
WR
+
t
RP
*
*
开始Autoprecharge
银行可在完成重新激活
t
DAL
突发写带自动预充电
（突发长度= 2 ， CAS＃延迟= 1 ， 2 ， 3 ）
7
模式寄存器设置命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， A11 =
“V”,
A10 =
“V”,
A0 -A9 =寄存器数据）
模式寄存器中存储的数据，用于控制SDRAM的各种操作模式。该
模式寄存器设置命令的程序CAS ＃延迟值，寻址模式和连拍功能
在模式寄存器的长度，使SDRAM可用于各种不同的应用。该
模式寄存器在上电后默认值是不确定的;因此，这个命令必须是
在上电顺序发出。管脚A0〜 A9和A11在同一周期中的状态是数据
写入到模式寄存器。以完成在模式寄存器中写入一个时钟周期是必需的
（参见下图） 。在模式寄存器中的内容可以使用相同的改变
操作过程中，只要这两个银行是在空闲命令和时钟周期的要求
状态。
初步
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第2.7版2006年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
