EM584161BA-85E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM584161BA-85E
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内容描述：	256K ×16低功耗SRAM [256K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 250 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

数据保持特性（Ta = -40 ° C至85°C ）

符号

数据保持电源

电压

参数

CE1#

≥

- 0.2V ， CE2

≤

0.2V,

VIN

≥

- 0.2V和VIN

≤

0.2V

VDD = 0.9V ， CE1 ＃

≥

- 0.2V,

CE2

≤

0.2V ， VIN

≥

- 0.2V或

VIN

≤

0.2V

民

EM584161

典型值

最大

单位

VDR

0.9

−

1.95

IDR

TSDR

TRDR

数据保持电流

−

TRC

−

4.0

−

µA

芯片取消到数据保留模式时间

恢复时间

CE1 ＃控制数据保留模式

吨SDR

V DD

1.65V

数据保持方式

吨RDR

1.4V

V DR

CE1#,

LB ＃ / UB ＃

GND

注1

CE2控制的数据保持方式

V DD

1.6 5V

CE2

吨SDR

吨RD ř

数据RETEN化模式

VD ř

0.4 V

GND

注2

注意：

1. CE1 ＃

≥

- 0.2V或UB ＃ = LB ＃

≥

– 0.2V

2. CE2

≤

0.2V

修订版2.0

2003年11月

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