EM565161BJ-55 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM565161BJ-55
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内容描述：	512K ×16的低功耗SRAM [512K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 792 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

ETR onTech

数据保持特性（Ta = -40 ° C至85°C ）

符号

参数

CE1#

≥

– 0.2V

VDR

数据保持电源

电压

或UB ＃ = LB ＃

≥

– 0.2V

或CE2

≤

0.2V,

VIN

≥

- 0.2V和VIN

≤

0.2V

TSDR

TRDR

芯片取消到数据保留模式时间

恢复时间

TRC

1.0

民

EM565161

典型值

最大

单位

−

3.6

−

CE1 ＃或＃ UB / LB ＃控制数据保留模式

TS ，D R

VDD

2 .7 V

D上TA ř Ëてñ TIO N M O对D E

TR ，D R

2 .2 V

VDR

CE1#,

U B ＃ / L B＃

GND

N}÷ TE 1

CE2控制的数据保持方式

VDD

2.7 V

CE2

TSDR

TRD ř

数据RETEN化模式

VDR

注2

0.4 V

GND

注意：

1. CE1 ＃

≥

- 0.2V或UB ＃ = LB ＃

≥

– 0.2V

2. CE2

≤

0.2V

初步

修订版0.9

2002年1月

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