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EM565161BA-55 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM565161BA-55
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内容描述: 512K ×16的低功耗SRAM [512K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 792 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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ETR onTech
DC推荐工作条件( TA = -40 ° C至85°C )
符号
VDD
VIH
VIL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
2.3
2.2
-0.3
(2)
EM565161
典型值
3.0
最大
3.6
VDD + 0.3
0.6
3.6
(1)
单位
V
VDR
数据保持电源电压
注意:
( 1 )过冲: VDD + 2.0V的情况下,脉冲宽度
20ns
(2)下冲: -2.0V的情况下,脉冲宽度的
20ns
1.0
DC特性(Ta = -40 ° C至85°C , VDD = 2.3V至3.6V )
参数
输入低电平电流
输出低
电压
输出高
电压
工作电流
符号
IIL
VOL
VOH
IDD1
IDD2
待机电流
IDDS1
IIN = 0V至VDD
IOL = 2.1毫安
IOH = -1.0毫安
CE1 # = VIL和
CE2 = VIH和
IOUT = 0毫安
其他输入= VIH / VIL
CE1 # = VIH或CE2 = VIL
CE1 # = VDD - 0.2V或
IDDS2
UB #和LB # = VDD - 0.2V或
CE2 ≤ 0.2V
-70
2
25
-55
循环时间=分钟
测试条件
-1
VDD
0.15
*典型值最大值单位
12
2
1
0.4
35
mA
周期时间= 1μs的时间
5
0.3
35
µA
mA
µA
V
V
-55E/70E
注意事项:
*典型值是在T测
a
= 25°C.
14
80
电容(钽= 25°C ; F = 1兆赫)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
最大
8
单位
pF
pF
测试条件
VIN = GND
VIO = GND
CIO
10
注意事项:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
初步
4
修订版0.9
2002年1月