EM564161BC-55E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM564161BC-55E
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内容描述：	256K ×16低功耗SRAM [256K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	14 页 / 254 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）

参数

输入低电平电流

输出低

电压

输出高

电压

符号

IIL

VOL

VOH

IIN = 0V至VDD

IOL = 2.1毫安

IOH = -1.0毫安

VDD = 3.6 V

VDD = 2.7 V

VDD = 2.3 V

VDD = 3.6 V

70/85

VDD = 2.7 V

VDD = 2.3 V

IDD2

IDDS1

待机电流

IDDS2

（注）

CE1 ＃ = VIH或CE2 = VIL

CE1 ＃ = VDD - 0.2V或

CE2 ≤ 0.2V

VDD = 3.6 V

55/70/85

VDD = 2.7 V

VDD = 2.3 V

55E/70E/85

VDD = 3.6 V

注意事项：

*典型值是在T测

= 25°C.

**在待机模式下， CE1 ＃

≥

VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件

CE2

≥

- 0.2V或CE2

≤

0.2V.

周期时间= 1μs的时间

测试条件

民

-1

VDD -

0.15

周期

=分钟

CE1 ＃ = VIL和

IDD1

工作电流

CE2 = VIH和

IOUT = 0毫安

其他输入= VIH / VIL

−

EM564161

*典型值最大值单位

−

0.8

0.5

0.4

−

0.5

µA

电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

符号

CIN

民

−

典型值

−

最大

单位

测试条件

VIN = GND

COUT

VOUT = GND

−

注意事项：

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

修订版3.1

2004年4月

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