EM564161BA-70E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM564161BA-70E
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内容描述：	256K ×16低功耗SRAM [256K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	14 页 / 254 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

读周期

EM564161

交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）

EM564161

符号

TRC

TAA

tCO1

tCO2

TOE

TBA

TLZ

TOLZ

tBLZ

太赫兹

tOHZ

tBHZ

TOH

写周期

EM564161

符号

参数

-55

-70

-85

单位

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ＃）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低-Z低到输出

输出使能低-Z低到输出

数据字节控制低到输出低-Z

芯片使能高到输出的高阻

输出使能高到输出的高阻

数据字节控制高到输出的高阻

输出数据保持时间

参数

−

-55

-70

-85

单位

−

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

−

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

TWC

TWP

TCW

TBW

TAS

tWR的

tWHZ

拖车

TDS

TDH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE＃低到输出的高阻

WE＃高到输出中低Z

数据建立时间

数据保持时间

−

AC测试条件

•

输出负载： 50pF的+ 1 TTL门

•

输入脉冲电平： 0.4V ， 2.4V

•

定时测量： 0.5× VDD

•

TR ， TF：为5ns

修订版3.1

2004年4月

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