EM564081 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM564081
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内容描述：	512K ×8低功耗SRAM [512K x 8 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 291 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

读周期

EM564081

交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）

EM564081

符号

TRC

TAA

tCO1

tCO2

TOE

TLZ

TOLZ

太赫兹

tOHZ

TOH

写周期

EM564081

符号

TWC

TWP

TCW

TAS

tWR的

tWHZ

拖车

TDS

TDH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

WE＃低到输出的高阻

WE＃高到输出中低Z

数据建立时间

数据保持时间

参数

-85

−

-70

−

单位

最小值最大值最小值最大值

−

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ＃）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

芯片使能低-Z低到输出

输出使能低-Z低到输出

芯片使能高到输出的高阻

输出使能高到输出的高阻

输出数据保持时间

参数

-85

−

-70

−

单位

最小值最大值最小值最大值

−

AC测试条件

•

输出负载： 50pF的+ 1 TTL门

•

输入脉冲电平： 0.4V ， 2.4V

•

定时测量： 0.5× V

•

TR ， TF：为5ns

初步

REV 0.7

2001年1月

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