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EM564081BA-70 参数 Datasheet PDF下载

EM564081BA-70图片预览
型号: EM564081BA-70
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内容描述: 512K ×8低功耗SRAM [512K x 8 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 291 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
写周期3
( CE2控制) (见注4 )
TW ç
EM564081
地址
T作为
TW P
TW ř
WE#
吨CW
CE1#
CE2
吨CW
吨WHZ
D OUT
吨LZ
吨DS
吨DH
d。在
(见注5 )
有效的数据在
注意:
1. WE#保持高电平为读周期。
2.如果CE1 #变低(或CE2变为高电平)或之后WE#变为低电平时,输出将维持在高位
阻抗。
3.如果CE1 #变高(或CE2变为低电平)一致或之前WE#为高电平时,输出将保持
在高阻抗。
4.如果OE#为在写入周期高电平时,输出端将保持在高阻抗状态。
5.由于I / O信号可以是在此时的输出状态,相反极性的输入信号必须不
应用。
初步
9
REV 0.7
2001年1月