EM562161 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM562161
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内容描述：	128K ×16的低功耗SRAM [128K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 137 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.7V至3.6V ）

参数

输入低电平电流

输出低电压

输出高

电压

符号

IIL

VOL

VOH

IIN = 0V至VDD

IOL = 2.1毫安

IOH = -1.0毫安

VDD = 3.6 V ，

IDD1

工作电流

IDD2

IDDS1

待机电流

注意事项：

*典型值是在T测

= 25 ° C，而不是100 ％测试。

**在待机模式下， CE1 ＃

≥

VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件

CE2

≥

- 0.2V或CE2

≤

0.2V.

IDDS2

（注）

CE1 ＃ = VIL和

CE2 = VIH和

IOUT = 0毫安

其他输入= VIH / VIL

CE1 ＃ = VIH或CE2 = VIL

CE1#

≥

VDD - 0.2V或CE2

≤

0.2V,

或LB ＃ = UB ＃

≥

VDD = 0.2V

55纳秒

70纳秒

测试条件

民

-1

2.2

−

EM562161

典型*

−

最大单位

0.4

−

0.5

µA

周期时间=

民

周期时间= 1μs的时间

电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

符号

CIN

民

−

典型值

−

最大

单位

测试条件

VIN = GND

COUT

−

VOUT = GND

注意事项：

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

初步

1.0版

2001年7月

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