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EM636165TS/BE-6G 参数 Datasheet PDF下载

EM636165TS/BE-6G图片预览
型号: EM636165TS/BE-6G
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内容描述: 1Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 75 页 / 789 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech  
Absolute Maximum Rating  
EM636165  
1M x 16 SDRAM  
Symbol  
Item  
Rating  
-5/55/6/7/7L/8/10  
- 1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
0 ~ 70  
Unit  
Note  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TOPR  
Input, Output Voltage  
Power Supply Voltage  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
V
V
1
1
1
1
1
1
C
°
°
TSTG  
- 55 ~ 125  
1
C
PD  
W
IOUT  
Short Circuit Output Current  
50  
mA  
Recommended D.C. Operating Conditions (Ta = -0~70 C)  
°
Symbol  
VDD  
Parameter  
Min.  
3.0  
Typ.  
3.3  
3.3  
Max.  
3.6  
Unit  
Note  
Power Supply Voltage  
V
V
V
V
2
2
2
2
VDDQ  
VIH  
Power Supply Voltage(for I/O Buffer)  
LVTTL Input High Voltage  
LVTTL Input Low Voltage  
3.0  
3.6  
2.0  
VDDQ+0.3  
0.8  
VIL  
- 0.3  
Capacitance (VDD = 3.3V, f = 1MHz, Ta = 25 C)  
°
Symbol  
CI  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
pF  
Input Capacitance  
2
4
5
7
CI/O  
Input/Output Capacitance  
pF  
Note: These parameters are periodically sampled and are not 100% tested.  
Preliminary  
18  
Rev. 2.7 Mar. 2006  
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