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EM564081BC-85E 参数 Datasheet PDF下载

EM564081BC-85E图片预览
型号: EM564081BC-85E
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内容描述: 512K ×8低功耗SRAM [512K x 8 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 291 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech  
EM564081  
Data Retention Characteristics (Ta = -40°C to 85°C)  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max Unit  
CE1# ³ VDD - 0.2V, CE2 £ 0.2V,  
VIN ³ VDD - 0.2V or VIN £ 0.2V  
Data Retention Supply  
Voltage  
V
1.0  
3.6  
3.5  
V
-
DR  
VDD = 1.0V, CE1# ³ VDD - 0.2V,  
CE2 £ 0.2V, VIN ³ VDD - 0.2V or  
VIN £ 0.2V  
I
Data Retention Current  
0.5  
-
mA  
DR  
t
Chip Deselect to Data Retention Mode Time  
Recovery Time  
0
ns  
ns  
-
-
-
-
SDR  
t
t
RDR  
RC  
CE1# Controlled Data Retention Mode (see Note1)  
V
DD  
DATA RETENTION MODE  
V
DD  
2.7V  
V
IH  
t
t
SDR  
RDR  
V
- 0.2V  
CE1  
DD  
GND  
CE2 Controlled Data Retention Mode (see Note2)  
V
DATA RETENTION MODE  
DD  
V
DD  
2.7V  
CE2  
V
IH  
t
t
SDR  
RDR  
V
IL  
0.2V  
GND  
Note:  
1. If CE1# controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CE2 £ 0.2V or  
CE2 ³ V - 0.2V.  
DD  
2. In CE2 controlled data retention mode, minimum standby current mode is entered when CE2 £ 0.2V.  
Preliminary  
January 2001  
10  
Rev 0.7