MMBV2101LT1 MMBV2103LT1 MMBV2105LT1
MMBV2107LT1 MMBV2108LT1 MMBV2109LT1
典型器件特性
1000
C
T
，二极管电容（PF ）
500
MV2115
200
100
50
T
A
= 25°C
F = 1.0 MHz的
MMBV2109LT1/MV2109
MMBV2105LT1/MV2105
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
MMBV2101LT1/MV2101
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
V
R
，反向电压（伏）
图1.二极管电容与反向电压
归一化二极管电容
1.040
100
50
I
R
，反向电流（ NA）
1.030
1.020
1.010
1.000
0.990
0.980
0.970
0.960
–75
V
R
= 2.0Vdc
20
10
5.0
2.0
1.0
.50
.20
T
A
= 125°C
V
R
= 4.0Vdc
V
R
= 30V直流
归一化到C
T
在T
A
= 25°C
V
R
= （曲线）
–50
–25
0
+25
+50
+75
+100
+125
T
A
= 75°C
T
A
= 25°C
.10
.05
.02
.01
0
5.0
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
R
，反向电压（伏）
图2.归二极管电容
VERSUS结温
图3.反向电流与
反向偏置电压
5000
3000
2000
5000
MMBV2101LT1/MV2101
MMBV2109LT1/MV2109
3000
2000
Q，优异的图
MV2115
100
50
30
20
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
Q，优异的图
1000
500
300
200
1000
500
300
200
MMBV2101LT1/MV2101
100
MV2115
50
30
20
10
10
20
30
50
70
100
200
300
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
T
A
= 25°C
V
R
= 4.0伏
MMBV2109LT1/MV2109
V
R
，反向电压（伏）
男，频率（MHz）
图4图优异的抗
反向电压
图5.图优异的抗
频率
I6–3/3
ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
