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    MUN5314DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

    MUN5314DW1T1图片预览
    型号： MUN5314DW1T1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 13 页 / 662 K
    品牌： ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
     浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第11页浏览型号MUN5314DW1T1的Datasheet PDF文件第12页  
    MUN5311DW1T1
    系列
    电气特性 - MUN5312DW1T1 PNP晶体管
    V
    CE （ SAT ）
    最大集电极电压（伏）
    1
    0.1
    h
    FE
    ，直流电流增益（标准化）
    1000
    100
    0.01
    0.001
    0
    20
    40
    50
    10
    1
    10
    100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图17. V
    CE （ SAT ）
    与我
    C
    4
    100
    图18.直流电流增益
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    Ç OB电容（pF ）
    10
    3
    1
    2
    0.1
    1
    0.01
    0.001
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    R
    ，反向偏置电压（伏）
    V
    in
    ，输入电压（伏）
    图19.输出电容
    100
    图20.输出电流与输入oltage
    V在，输入电压（伏）
    10
    1
    0.1
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图21.输入电压与输出电流
    MUN5311dw–8/13

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