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MSB709-RT1 参数 Datasheet PDF下载

MSB709-RT1图片预览
型号: MSB709-RT1
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内容描述: PNP通用放大器晶体管表面贴装 [PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
   
PNP通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSB709-RT1
3
1
2
2
BASE
1
辐射源
CASE 318D -03 ,样式1
SC–59
最大额定值
(T
A
= 25 °C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
C
I
(P )
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
–60
–45
–7.0
–100
–200
最大
200
150
–55 ~ +150
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
V
CE ( SAT )
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
单位
mW
°C
°C
–45
–60
–7.0
210
最大
–0.1
–100
340
–0.5
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
VDC
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
特征
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
=–2.0mAdc,I
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压(I
C
=–10µAdc,I
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
=–10µAdc,I
E
=0)
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= -45Vdc ,我
E
=0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= -10VDC ,我
B
=0)
直流电流增益
(1)
(V
CE
= -10VDC ,我
C
= -2.0mAdc )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -100mAdc ,我
B
=–10mAdc)
1.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
直流< 2%。
电气特性
(T
A
= 25 °C)
器件标识
标记符号
ARX
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
N2–1/1