MMBV105GLT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBV105GLT1
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内容描述：	硅调谐二极管 [Silicon Tuning Diode]
分类和应用：	二极管变容二极管光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 96 K
品牌：	ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]

硅调谐二极管

MMBV105GLT1

该设备被设计在了表面贴装封装的

通用变频器控制及调整applications.It提供

在更换机械固态可靠性

调整方法。

•

控制和统一调整定额

阴极

阳极

例

318-08 ，风格8

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

最大额定值（每个二极管）

等级

反向电压

正向电流

器件耗散@T

= 25°C

减免上述25℃

结温

存储温度范围

符号

英镑

价值

200

225

1.8

+125

-55到+150

单位

VDC

MADC

毫瓦/°C的

°C

器件标识

MMBV105GLT1=M4E

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

特征

反向击穿电压

( I

=10µAdc)

反向电压漏电流

( V

=28Vdc)

符号

（ BR ）R

民

—

最大

—

单位

VDC

NADC

设备类型

= 25VDC ， F = 1.0MHz的

民

最大

2.8

=3.0Vdc

f=50MHz

典型值

250

/ C

f=1.0MHz

民

4.0

最大

6.5

MMBV105GLT1

1.5

I1–1/2

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