MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
典型特征 - MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
100
0.2
I
F
,正向电流(mA )
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
I
R
,反向漏电流( μ A)
10
0.1
0.07
0.05
1.0
0.02
0.01
30
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
A
,环境温度( ° C)
V
F
,正向电压(伏)
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
9
C,电容(pF )
0.9
NF ,噪声系数(dB )
8
7
6
5
4
3
2
1
0.8
0.7
0.6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
V
R
,反向电压(伏)
P
LO
,本振功率(mW )
图3.电容
图4.噪声系数
注意测试和规格
注1 - C
C
和C
T
使用电容测量
tance桥( Boonton的电子型号75A
或同等学历) 。
注2 - 噪声系数下测得二极管
使用超高频噪声测试中调整贴装二极管
源和本地振荡器(LO)频率的
1.0 GHz的。本振功率调整为1.0
毫瓦。我
F
放大器NF = 1.5 dB时, F = 30 MHz时,看到
图5中。
注3 L -
S
测量上具有一个包
图5.噪声系数测试电路
短,而不是一个模具中,用一个阻抗
桥( Boonton的无线电型号250A RX计) 。
MBD110–3/5