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BD110 参数 Datasheet PDF下载

BD110图片预览
型号: BD110
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内容描述: 双肖特基势垒二极管 [Dual SCHOTTKY Barrier Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 5 页 / 546 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
µA)
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
C
T
MBD110DWT1
C
T
MBD330DWT1
MBD770DWT1
I
R
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
V
F
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
6.0
VDC
0.02
13
9.0
0.25
200
200
µA
NADC
NADC
dB
0.9
0.5
1.5
1.0
0.88
1.0
pF
符号
V
( BR )R
7.0
30
70
典型值
10
最大
pF
单位
二极管电容
(V
R
= 0 , F = 1.0 MHz时,注1 )
总电容
(V
R
= 15伏中,f = 1.0 MHz)的
(V
R
= 20伏中,f = 1.0 MHz)的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
( F = 1.0千兆赫,注2 )
正向电压
(I
F
= 10 mA)的
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 mA)的
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 mA)的
MBD110–2/5