BC856BDW1T1 ， BC857BDW1T1 ， BC857CDW1T1
BC858BDW1T1 ， BC858CDW1T1
PNP典型特征 - BC857 / BC858
h
FE
，直流电流增益（标准化）
2.0
1.5
-0.8
-1.0
V，电压（V ）
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-200
1.0
0.7
-0.6
0.5
-0.4
0.3
-0.2
0.2
-0.2
0
-1.0
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
I
C
，集电极电流（ MADC ）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图7.归DC电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB
，温度系数（毫伏/ ° C）
图8. “饱和度”和“开”电压
-2.0
-1.0
-1.6
-1.4
-1.2
-1.8
-0.8
-2.2
-0.4
-2.6
0
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-3.0
-0.2
-0.5
-1.0
-10
-100
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
f
T
，电流增益带宽积（兆赫）
图10.基射极温度系数
10
400
300
200
150
100
80
60
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
2.0
40
30
20
-0.5
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
1.0
-0.4
-0.6
-1.0
-2.0
-4.0
-6.0
-10
-20
-30 -40
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益带宽积
BC856b–4/5
ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
