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BC847CDW1T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BC847CDW1T1
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内容描述: 双路通用晶体管 [Dual General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 460 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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BC846BDW1T1 , BC847BDW1T1 , BC847CDW1T1 , BC848BDW1T1 , BC848CDW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
V
典型值
最大
单位
V
65
45
30
V
( BR ) CES
80
50
30
V
( BR ) CBO
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA)的
BC846系列
BC847系列
BC848系列
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10
µA,
V
EB
= 0)
BC846系列
BC847系列
BC848系列
( BR ) CEO
V
V
V
15
5.0
nA
µA
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
µA)
BC846系列
BC847系列
BC848系列
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1.0
µA)
BC846系列
BC847系列
收藏家Cuto FF电流
BC848系列
(V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ,T
A
= 150°C)
80
50
30
V
( BR ) EBO
6.0
6.0
I
CBO
5.0
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
µA,
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
BC846B , BC847B , BC848B
BC847C , BC848C
BC846B , BC847B , BC848B
BC847C , BC848C
200
420
580
150
270
290
520
0.7
0.9
660
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
(I
C
= 2.0毫安, V
CE
= 5.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.5 mA)的V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
( I
C
= 100毫安,我
B
= 5.0 mA)的
基射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.5 mA)的
V
BE ( SAT )
基射极饱和电压
(I
C
= 100毫安,我
B
= 5.0 mA)的
基射极电压(I
C
= 2.0毫安, V
CE
= 5.0 V)
基射极电压
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V)
V
BE(上)
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5.0伏, F = 100兆赫)
输出电容(V
CB
= 10 V , F = 1.0兆赫)
噪声系数(I
C
= 0.2毫安,
V
CE
= 5.0 V
dc
, R
S
= 2.0 kΩ的, BC846B , BC847B , BC848B
F = 1.0千赫, BW = 200赫兹)
BC847C , BC848C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
BC846b–2/5