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型号：	7N60
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内容描述：	7安培， 600Volts N沟道MOSFET [7 Amps，600Volts N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 352 K
品牌：	ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]

7N60

7安培， 600Volts

，

N沟道MOSFET

■

描述

该ET7N60 N沟道增强型硅栅

动力

MOSFET是专为高电压，高速功率开关

应用，例如开关稳压器，开关转换器，

电磁线圈，电机驱动器，继电器驱动器

■

特点

DS （ ON）

= 1.20 @V

= 10 V

低栅极电荷（典型值29nC ）

高耐用性

快速开关能力

较高的雪崩能量

改进的dv / dt能力

■

符号

■

绝对最大额定值

= 25 ℃ ，除非另有规定）

参数

漏源电压

栅源电压

排水Currenet连续

漏电流脉冲

雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功耗

结温

储存温度

＊

符号

DSS

GSS

=25℃

=100℃

（注1 ）

dv / dt的

英镑

152

1.21

评级

TO-220

600

±30

TO-220F

单位

7.0

4.3

15.2

267

4.5

7.0

4.3

＊

V / ns的

＊

重复

单脉冲

（注1 ）

（注2 ）

（注3）

=25℃

减免上述25 °

0.40

+150

W/℃

℃

-55~+150

漏电流受最高结温。

北京ESTEK ELECTRONICS CO 。， LTD。

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