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简化的真值表
命令
模式寄存器设置
注册
扩展模式寄存器
SET
自动刷新
刷新
自
刷新
条目
出口
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
H
H
X
X
L
L
H
L
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
无操作指令
条目
深度掉电模式
出口
L
H
H
H
L
X
L
H
H
L
L
X
H
L
H
H
L
X
H
L
H
L
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
H
X
X
H
H
X
X
H
L
X
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
V
X
X
X
X
X
H
X
L
H
L
L
X
H
H
X
H
L
H
X
X
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
X
L
H
L
H
X
H
L
H
H
X
H
H
X
X
X
X
X
L
L
L
L
X
CKEn-1
CKEN
CS RAS CAS
WE
M52D128168A
DQM BA0 A10 / AP
BA1
A11,
A9~A0
记
操作码
1,2
3
X
3
3
X
V
V
行地址
L
H
L
H
X
V
X
L
H
X
COLUMN
地址
(A0~A8)
COLUMN
地址
(A0~A8)
3
4
4,5
4
4,5
6
V
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
条目
时钟暂停或
主动关机
H
L
X
X
X
X
X
X
7
(V =有效,X =无关。 H =逻辑高电平, L =逻辑低)
注意:
1.OP代码:操作码
A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 :程序键。 ( @太太) 。 BA1 = 0,刘健和BA1 = 1 EMRS
2.MRS / EMRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后2 CLK周期MRS / EMRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
没有命令行预充电的预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在所有银行闲置状态,发出自动/自刷新。
4.BA0 〜 BA1 :银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是在读“低” ,写,行积极和预充电,银行A被选中。
如果两个BA0为“低”和BA1是“高” ,在读,写,行积极和预充电,选择B银行。
如果两个BA0为“高”和BA1是“低” ,在读,写,行积极和预充电, C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是“高” ,在读,写,行积极和预充电,银行选择D
如果A10 / AP是“高”的行预充电, BA0和BA1被忽略,所有的银行都被选中。
5.During突发读取或者自动预充电,无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
6.Burst停止命令是在每一个突发长度有效。
7.DQM取样的一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿(写入DQM延迟是0 ),但
使得Hi-Z状态数据输出2 CLK周期后(读DQM延迟2 )
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年8月
修订: 1.3
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