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M24L816512SA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M24L816512SA
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内容描述: 8兆位( 512K ×16 )伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 328 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
参数
写周期[ 13 ]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
描述
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE
脉冲宽度
BLE
/
BHE
低到写结束
M24L816512SA
开关特性(在工作范围) (续) [10 , 11 , 12 , 13 , 14 ]
-55
分钟。
55
45
45
0
0
40
50
42
0
25
5
5
马克斯。
分钟。
70
55
55
0
0
55
55
42
0
25
-70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z [11 , 12 ]
WE
前高后低-Z [11 , 12 ]
开关波形
读周期1 (地址转换控制) [ 14 , 15 , 16 ]
读周期2 (
OE控制的) [14 , 15]
注意事项:
15.
WE
为高的读周期。
16.设备不断选择。 OE ,CE = V
IL
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年6月
调整
:
1.5
6/14