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    M24L816512DA-55BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L816512DA-55BEG图片预览
    型号： M24L816512DA-55BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 512K ×16 ）伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 310 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L816512DA-55BEG的Datasheet PDF文件第10页  
    ESMT
    开关波形（续）
    写周期1 （
    WE
    控制）
    [12, 13, 17, 18, 19]
    M24L816512DA
    写周期2 （ CE
    1
    或CE2控制） [ 12，13， 17，18， 19]
    注意事项：
    17.Data I / O是，如果OE高阻抗
    ≥
    V
    IH
    .
    18.If芯片使能同时变为无效用
    WE
    =高时，输出保持在高阻抗状态。
    19.During不在乎期间的数据I / O的波形时，I / O为输出状态，输入信号不宜应用。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2008年7月
    调整
    :
    1.1
    6/12

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