ESMT
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 40 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位................- 0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态[ 3 ， 4 ， 5 ] ...................................... 。 - 0.4V至3.7V
直流输入电压[3 ，4，5 ] ....................................- 0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
M24L48512DA
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
EXTENDED
产业
环境温度（T
A
)
−25°C
至+ 85°C
−40°C
至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
2.7V至3.6V
电气特性（在工作范围内）
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE1
掉电
目前-CMOS
输入
自动CE1
掉电
目前-CMOS
输入
测试条件
分钟。
2.7
V
CC
– 0.4
0.4
0.8 * V
CC
-0.4
GND
≤
V
IN
≤
VCC
GND
≤
V
OUT
≤
Vcc时，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
-1
-1
14 55ns速度
14 60纳秒的速度
8 70纳秒的速度
-55, 60, 70
Typ.[2]
3.0
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
OH
=
−0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
+ 0.4
0.4
+1
+1
22 55纳秒的速度
22 60纳秒的速度
15 70纳秒的速度
1所有速度
5所有速度
I
SB1
CE1
≥
V
CC
−
0.2V ， CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
−
0.2V, V
IN
≤
0.2V ，女= F
最大
（地址和数据
只） ，
f=0
CE1
≥
V
CC
−
0.2V ， CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
−
0.2V或V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.6V
150
250
µA
I
SB2
17
40
µA
Capacitance[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
3.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
4.V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.Overshoot和欠规范的特点，不是100 ％测试。
最初和以后设计或工艺变化，可能影响这些参数6.Tested 。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修订： 1.1
3/12
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
