ESMT
交流测试负载和波形
M24L416256SA
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
单位
Ω
Ω
Ω
V
开关特性（在工作范围内） [ 10 ]
Prameter
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [11 ， 13 ]
OE高来高Z [ 11 ， 13 ]
CE低到低Z [11 ， 13 ]
CE高来高Z [ 11 ， 13 ]
BLE / BHE低到数据有效
BLE
/
BHE
低到低Z [11 ， 13 ]
–55
分钟。
55
55
5
55
25
5
25
2
25
55
5
10
0
55
45
45
0
0
40
60
45
45
0
0
40
5
2
5
8
马克斯。
分钟。
60
–60
马克斯。
分钟。
70
60
10
60
25
5
25
5
25
60
5
10
5
70
60
55
0
0
45
–70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
35
25
25
70
25
10
t
HZBE
BLE
/
BHE
高来高-Z [11 ， 13 ]
[14]
t
SK
地址偏移
写周期[ 12 ]
t
WC
写周期时间
t
SCE
CE低到写结束
t
AW
地址建立撰写完
t
HA
从写端地址保持
t
SA
地址建立到开始写
t
PWE
WE
脉冲宽度
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V，定时基准信号过渡时间
V水平
CC （典型值）
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示的“ AC测试
负载和波形“一节。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写时间是由重叠定义
WE
，CE = V
IL
,
BHE
和/或
BLE
= V
IL
。所有信号
必须积极主动写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入设置
和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
13.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
is
满足的时候，地址是稳定的前片选去激活。为70 ns的周期中，地址必须是稳定的
内的读周期开始后的10纳秒。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修订： 1.4
5/14
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
