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    M24L416256SA-70TEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L416256SA-70TEG图片预览
    型号： M24L416256SA-70TEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 317 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L416256SA-70TEG的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    产品组合
    V
    CC
    范围（V ）
    速度
    （纳秒）
    马克斯。
    55
    M24L416256SA
    2.7
    3.0
    3.6
    60
    70
    1
    5
    工作，我
    CC
    （MA ）
    F = 1 MHz的
    Typ.[5]
    马克斯。
    M24L416256SA
    功耗
    产品
    分钟。
    待机情况下，我
    SB2
    (µA)
    Typ.[5]
    马克斯。
    F =最大频率
    Typ.[5]
    14
    8
    马克斯。
    22
    15
    Typ.[5]
    17
    40
    注意事项：
    2.球H1， G2和球H6为VFBGA封装可用于升级到8兆位， 16兆位和32兆位密度。
    3. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
    4. DNU （不使用）引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
    5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
    CC
    = VCC （典型值） ，
    T
    A
    = 25°C.
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2008年7月
    修订： 1.4
    3/14

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