ESMT
交流测试负载和波形
M24L28256SA
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V (V
CC
)
22000
22000
11000
1.50
单位
Ω
Ω
Ω
V
开关特性在工作范围[ 8 ]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
SK [
12]
写周期[ 11 ]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE LOW
OE低到DATA有效
OE低到低Z [9 ， 10 ]
OE高来高Z [ 9 ， 10 ]
CE LOW
CE高
地址偏移
写周期时间
CE LOW
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE
脉冲宽度
-55
分钟。
55[12]
55
5
55
25
5
25
2
25
0
55
45
45
0
0
40
25
0
25
5
5
70
55
55
0
0
55
25
0
5
5
10
马克斯。
分钟。
70
-70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
35
25
25
10
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z [9 ， 10 ]
WE
前高后低-Z [9 ， 10 ]
25
ns
ns
注意事项：
8.测试条件假设1V / ns的或更高的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲为0V的电平
到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
和30 pF的电容负载
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
10.高-Z和低Z参数表征，不是100 ％测试。
11.存储器的内部写入时间由的重叠限定
WE
，CE = V
IL
， 。所有的信号必须是活动发起
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应该是
涉及到该终止写入信号的边沿。
12.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
是满足的时候，地址是稳定的前片选去激活。为70 ns的周期中，地址必须
内的读周期开始后的10纳秒的稳定。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.1
4/12
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
