ESMT
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导线，没有测试。 ）
储存温度...................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位..................- 0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态[ 3 ， 4 ， 5 ] ...................................... 。 - 0.4V至3.7V
直流输入电压[3 ，4，5 ] ....................................- 0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................... 20毫安
M24L216128SA
静电放电电压........................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
EXTENDED
产业
环境
温度（T
A
)
−25°C
至+ 85°C
−40°C
至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
2.7V至3.6V
电气特性（在工作范围内）
-55
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
测试条件
分钟。
I
OH
=
−0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.70V
0.8*
V
CC
-0.4
-1
-1
14
1
2.7
V
CC
-
0.4
典型值
.[5]
3.0
马克斯。
3.6
分钟。
2.7
V
CC
-
0.4
0.8*
V
CC
-0.4
-1
-1
8
1
-70
典型值。
[5]
3.0
单位
马克斯。
3.6
V
V
0.4
V
CC
+
0.4V
0.4
+1
+1
15
5
V
V
V
µA
µA
mA
mA
0.4
V
CC
+
0.4V
0.4
+1
+1
22
5
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE
≥
V
CC
−
0.2V
V
IN
≥
V
CC
−
0.2V, V
IN
≤
0.2V ，女= F
最大
（地址和数据只） ， F = 0 （ OE ，
WE
,
BHE
和
BLE
), V
CC
=3.6V
40
250
40
250
µA
I
SB2
CE
≥
V
CC
−0.2V
V
IN
≥
V
CC
−
0.2V或V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，
V
CC
=3.6V
9
40
9
40
µA
Capacitance[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热电阻[10]
参数
θJA
描述
热阻（结到环境）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
BGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
θJC
热阻（结到管壳）
注： 6.V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
8.Overshoot和欠规范的特点，不是100 ％测试。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数9.Tested 。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.2
4/14
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
