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M24L216128SA-55BEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L216128SA-55BEG图片预览
型号: M24L216128SA-55BEG
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内容描述: 2兆位( 128K ×16 )伪静态RAM [2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 340 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
产品组合产品
产品
分钟。
M24L216128SA
2.7
V
CC
范围(V )
速度快(纳秒)
马克斯。
3.6
55
70
我的操作
CC
(MA )
F = 1MHz的
Typ.[5]
1
马克斯。
5
F =最大频率
Typ.[5]
14
8
M24L216128SA
功耗
待我
SB2
(µA)
典型值。 [5]
9
马克斯。
40
典型值。
3.0
马克斯。
22
15
注意事项:
2.Ball D3, H1, G2和球H6为FBGA封装可用于升级到4兆位, 8兆位, 16兆位,32兆位密度
分别。
3.NC “无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
4.DNU (不使用)引脚必须悬空或连接到VSS ,以确保适当的应用程序。
5.Typical值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)。
,
T
A
= 25°C.
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.2
3/14