ESMT
交流测试负载和波形
M24L216128SA
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
单位
Ω
Ω
Ω
V
开关特性在工作范围[ 10 ]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK
[14]
写周期[ 12 ]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [11 ， 13 ]
OE高来高Z [ 11 ， 13 ]
CE低到低Z [11 ， 13 ]
CE高来高Z [ 11 ， 13 ]
BLE
/
BHE
低到数据有效
BLE
/
BHE
低到低Z [11 ， 13 ]
BLE
/
BHE
高来高Z [ 11 ， 13 ]
地址偏移
-55 [14]
分钟。
马克斯。
55[14]
55
5
55
25
5
25
2
25
55
5
10
0
55
45
45
0
0
40
-70
分钟。
70
70
10
70
35
5
25
5
25
70
5
25
10
70
60
60
0
0
45
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE
脉冲宽度
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V，定时基准信号过渡时间
V水平
CC （典型值）
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“ AC
TEST
负载和波形“一节。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗state.12.The内部写转换被测量
存储器的时间是由重叠定义
WE
，CE = V
IL
,
BHE
和/或
BLE
= V
IL
。所有信号都必须积极
开始写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入建立时间和保持时间
应参考该终止写信号的边缘。
13.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
是满足的时候，地址是稳定的前片选去激活。为70 ns的周期中，地址必须
内的读周期开始后的10纳秒的稳定。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2008年7月
调整
:
1.2
5/14
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
