ESMT
工作温度条件
参数
工作温度
符号
T
C
价值
0 ~ +95
M14D2561616A
单位
°C
注： 1。工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.支持0 〜+ 85 ℃，充分交流和直流规格。
支持0 〜+ 85 ℃ ，并能扩展到+ 95
℃
在倍频自动刷新命令的装置
32ms的周期（T
REFI
= 3.9μs ）和较高的温度自刷新上EMRS经由A7的“1”的条目（2） 。
DC操作条件&规格
DC操作条件
（建议的直流工作条件）
参数
电源电压
电源电压为DLL
电源电压输出
输入参考电压
终止电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
（所有电压参考VSS）
参数
最低所需的输出上拉下交流测试负载
根据AC测试负载所需最大输出下拉
输入漏电流
输出漏电流
输出源的最小直流电流（V
DDQ
（MIN） ; V
OUT
=1.42V )
输出最小灌直流电流（V
DDQ
（MIN） ; V
OUT
=
0.28V )
注意：
1. V的值
REF
可以由用户进行选择，以提供最佳的噪声容限的系统。典型的价值
V
REF
预计是约0.5 x垂直
DDQ
发送设备和V的
REF
预计跟踪变化为V
DDQ
.
2.峰值到峰值的V AC噪音
REF
不得超过
±2%
V
REF
（直流） 。
3. V
TT
发射装置必须跟踪V
REF
的接收装置。
4. V
DDQ
和V
DDL
轨道V
DD
。 AC参数测量V
DD
, V
DDQ
和V
DDL
绑在一起。
5.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
;所有其他的球没有被测= 0V 。
6. 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
; DQ和ODT禁用。
7. Ⅴ的DC值
REF
施加到所述接收装置，预计设定为V
TT
.
8. OCD校准18Ω在T后
C
= 25℃, V
DD
= V
DDQ
= 1.8V.
9.有没有具体的设备V
DD
电源电压要求SSTL_18合规性。然而，在所有情况下
V
DDQ
必须小于或等于V
DD.
符号
V
OH
V
OL
|I
LI
|
|I
LO
|
I
OH
I
OL
价值
V
TT
+ 0.603
V
TT
- 0.603
2
5
-13.4
+13.4
单位
V
V
uA
uA
mA
mA
记
8
8
5
6
7, 8
7, 8
符号
V
DD
V
DDL
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
分钟。
1.7
1.7
1.7
0.49 x垂直
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.125
-0.3
典型值。
1.8
1.8
1.8
0.5× V
DDQ
V
REF
-
-
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51 x垂直
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.125
单位
V
V
V
V
V
V
V
记
4,9
4,9
4,9
1,2,9
3,9
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
5/59
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
