ESMT
DC特定网络阳离子
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充电掉电待机
当前
空闲待机电流
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2N
测试条件
t
RC
= t
RC
（ MIN ）T
CK
= t
CK
（分钟）
主动 - 预充电
突发长度= 2吨
RC
= t
RC
（分钟），CL =
2.5 I
OUT
= 0毫安，主动 - 读 -
预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟） ，所有
银行闲置
-5
150
160
40
100
50
110
220
220
250
5
280
M13S64164A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
VERSION
-6
130
140
40
100
40
100
200
200
220
5
260
单位注
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
=
t
CK
（分钟）
活跃
掉电
待机
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=
IDD3P
当前
t
CK
（分钟）
一家银行;主动预充电，T
RC
=
主动待机电流
IDD3N
t
RAS
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟）
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，T
CK
= t
CK
工作电流（读）
IDD4R
（分钟） ，我
OUT
= 0毫安
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，T
CK
= t
CK
工作电流（写）
IDD4W
（分钟）
自动刷新当前
IDD5
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
自刷新电流
IDD6
CKE
≤
0.2V
工作电流
突发长度= 4 ，T
RC
= t
RC
（ MIN）
IDD7
（ 4行交错）
I
OUT
= 0毫安
注1：使能片刷新和地址计数器。
交流工作条件&时序规范
交流工作条件
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入不同的电压， CLK和CLK输入
输入交叉点电压， CLK和CLK输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
IX
（AC）的
民
V
REF
+ 0.31
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
最大
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
单位
V
V
V
V
记
1
2
注1 。 V
ID
是在CLK的输入电平与所述输入上的CLK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
输入/输出电容
(V
DD
= 2.3V~2.7V, V
DDQ
= 2.3V 〜 2.7V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容
（ A0 〜 A11 ， BA0 〜 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
)
输入电容（ CLK ， CLK ）
数据& DQS输入/输出电容
输入电容（DM）的
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
2.5
2.5
4.0
4.0
3.5
3.5
5.5
5.5
pF
pF
pF
pF
符号
民
最大
单位
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年3月
修订： 1.0
5/49
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
